DOI:
Автор:
Шоломій Ю.Є., Чернігівський національний технологічний університет, м. Чернігів, Україна
Ковтун А.О., Чернігівський національний технологічний університет, м. Чернігів, Україна
Рогоза О.В., Чернігівський національний технологічний університет, м. Чернігів, Україна
Мова статті: українська
Анотація:
Досліджені температурні залежності питомої електричної провідності і рухливості носіїв зарядів у холестеричному рідкому кристалі. Визначені величини енергій активацій питомої провідності і рухливості зарядів у різних рідкокристалічних станах. Аналіз температурних залежностей показує, що зміни провідності в областях фазових переходів у межах похибок обумовлені змінами рухливості носіїв заряду. Як під час охолодження до рідкокристалічного стану, так і під час нагрівання із цього стану природа механізму генерації і рекомбінації носіїв однакова.
Ключові слова:
холестеричний рідкий кристал, питома електрична провідність, рухливість носіїв заряду
Використана література:
1. Блинов Л. М. Электро- и магнитооптика жидких кристаллов / Л. М. Блинов. – М. : Наука, 1978. – С. 121-139.
2. Гриценко М. І. Фізика рідких кристалів : навч. посіб. / М. І. Гриценко. – К. : Академія, 2012. – 272 с. – (Серія «Альма-матер»).
3. Сонин А. С. Введение в физику жидких кристаллов / А. С. Сонин. – М. : Наука, 1983. – С. 104-114.
4. Сугаков В. Й. Фізика рідкокристалічного стану / В. Й. Сугаков. – К. : Вища школа, 1992. – С. 16, 17, 24-26, 32-34.